일반기술
미세 압전 외팔보 센서 및 이를 위한 발진회로
본 기술은 미세 압전 외팔보 센서 및 이를 위한 발진회로에 관한 것이다.본 기술이 개시하는 미세 압전 외팔보 센서는, 상부 실리콘에 외팔보를 형성한 SOI 구조의 베이스 기판과, 제 1 산화막을 개재하여 외팔보 상부에 구비되는 압전체, 그리고 압전체의 상하부 전극 각각으로부터 연장되는 금속 패턴 간의 절연을 위한 제2 산화막을 포함한다. 본 발명의 특징적인 양상에 따라, 베이스 기판의 상부 실리콘 상부에 소정 크기의 제1 옴 접촉이 형성되고, 베이스 기판의 하부 실리콘 상부에 소정 크기의 제2 옴 접촉이 형성되어, 이들이 전기적으로 연결된다.본 기술에 의하면, 누설전류 및 부유전류를 차단할 수 있으므로 전기적인 특성과 아울러 정밀도를 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 기계 > 초소형 센서 (I82)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-10-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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