일반기술

고유전율 박막 형성방법 및 고유전율 박막

본 기술은 고유전율 박막에 인시튜(in-situ)로 도펀트(dopant)를 포함시키고, 도펀트의 위치 및 프로파일을 정확하게 조절할 수 있어 유전체의 특성을 향상시킴과 동시에, 공정수를 절감하고 공정온도를 낮춤으로써 생산성을 향상시키며 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 기술은, 증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와, (b) 금속 전구체, 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질, 및 도펀트(dopant)를 포함하는 물질을 주입하여 도펀트(dopant)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계를 상기 (a)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(dopant)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일을 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법을 제공한다.