일반기술

탄소나노튜브를 이용한 SiO2 기판의 식각 제조 장치

기판 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및 상기 탄소 나노튜브가 형성된 절연층의 탄소용융 환원 (carbothermal reduction) 반응으로 절연층에 나노트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브를 이용한 절연층의 식각 방법과 이를 이용하여 제조된 나노 구조물이 제공된다. 본 발명의 식각 방법에 따르면 식각을 위한 비싼 기계 장비 및 복잡한 전처리 과정을 필요로 하는 기존의 방법에 비하여 간단하며, 또한 환경과 신체에 유독한 화학 약품을 사용하지 않아 친환경적이고, 0.5 내지 300 nm 의 평균 지름을 가지는 탄소 나노튜브를 이용하여 기존의 방법으로는 구현하기 어려운 0.5 내지 500 nm 의 평균 폭을 가지는 절연층의 나노트렌치를 제조할 수 있다. 또한, 상기 절연층의 나노트렌치를 이용하여 고밀도 집적화 소자용 나노 구조물을 제공할 수 있다.