일반기술

반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조

본 기술은 반도체 소자의 T-게이트를 형성한다는 것으로, 이를 위하여 본 기술은, 게이트 머리 부분보다 상대적으로 폭이 좁은 게이트 발이 직선 형태로 형성되는 T-게이트를 형성하는 종래 방법과는 달리, 반도체 기판 상에 각기 다른 전자빔 감도를 갖는 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 도포하고, 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 1 노광 공정을 수행한 후 제 3 레지스트를 선택적으로 현상하며, 제 3 레지스트가 선택 현상된 폭보다 상대적으로 넓은 영역의 제 2 레지스트를 선택 현상하여 게이트 머리 영역을 정의하고, 제 3 레지스트 및 제 2 레지스트가 각각 선택 현상된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 2 노광 공정을 수행한 후 제 1 레지스트를 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트의 현상보다 상대적으로 저온에서 굴곡진 형태로 선택 현상하며, 선택 현상된 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트에 따라 금속 물질을 증착한 후 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 제거하여 게이트 머리 및 게이트 발을 갖는 T-게이트를 형성함으로써, 전자빔을 이용한 제 1 및 제 2 노광 공정과 각기 다른 용액 및 온도에서의 현상을 통해 굴곡진 형태의 게이트 발을 갖는 안정적인 T-게이트를 형성할 수 있는 것이다.