일반기술
금속-알킬아마이드과 금속-알콕사이드 전구체 조합을 사용한 원자층 화학 증착범을 이용한 하프늄 실리게이트 박막 제조
본 기술은 신규한 전구체 조합을 이용하여 우수한 특성의 하프늄 실리케이트 박막을 성장시키는 원자층 화학 증착법에 관한 것이다. 원자층 화학증착법은 기판 표면에서 전구체간 리간드 치환반응을 통해 박막이 성장되는 방법이기 때문에 전구체의 선택이 박막특성에 크게 영향을 준다. 본 기술에서 사용된 적용된 전구체 조합은 추가적인 산화제 없이 금속(M1=Hf 혹은 Si)-알콕사이드와 금속(M2=Hf 혹은 Si)-알킬아마이드를 사용하여 삼성분계 금속산화막을 성장시킬 수 있다. 본 기술에 따른 전구체조합을 원자층 화학증착법에 적용하면, 높은 유전상수(k), 큰 밴드갭에너지 (Eg), 우수한 열적안정성, 우수한 계면특성, 우수한 층 덮임률을 가진 수 나노두께의 하프늄 실리케이트 박막을 얻을 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-10-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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