일반기술

ZnO 나노막대의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 ZnO 나노막대

본 기술은 버퍼층이 코팅된 기판 상에 아연염 및 암모니아수를 포함하는 수용액을 이용하여 ZnO 나노막대를 성장시키는 방법, 리쏘그라피법(lithography)을 사용하여 ZnO 나노막대를 선택적으로 성장시키는 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 ZnO 나노막대를 제공한다. 본 기술의 방법에 따르면, 아연염 및 암모니아수의 수용액을 사용한 수열합성방법에 의하여 ZnO 나노막대를 성장시킴으로써 저온에서 대면적으로 ZnO 나노막대를 제조할 수 있으며, 아연이온과 암모니아수의 비율에 따라 착화합물의 안정성을 조절함으로써 반응속도를 조절하여 ZnO 나노막대의 성장을 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 액상침전에 의한 아연 소스의 손실을 줄일 수 있으므로 매우 안정적이고 경제적으로 ZnO 나노막대를 성장시킬 수 있다. 또한 리쏘그라피법을 이용할 경우에는 기판상의 원하는 위치에 나노막대를 배열할 수 있어 태양전지, 투명전극, LED, 광촉매 등 더욱 다양한 응용이 가능하다.