일반기술
전계 효과 전하 이동도를 증가시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 기술은 기판 상부에 형성된 유기 반도체층, 게이트 절연층을 통하여 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하는 게이트 전극, 상기 유기 반도체층에 접하면서 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하고 서로 일정 거리 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성된 유기 박막 트랜지스터를 제공한다. 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금층 또는 금 합금층과, 상기 금층 또는 금 합금층 상에 형성된 금 산화층을 포함하여 이루어지고, 상기 금 산화층은 상기 유기 반도체층과 접하여 전계 효과 전하 이동도를 증가시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 광전자
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-10-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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