일반기술
이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 이를 이용한 전력 증폭기
기술개요 - 본 기술은 반도체 소자에 관한 것으로서, 특히 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Hererojunction Bipola Transistor : 이하 HBT라 칭함)의 구조 및 이를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다.기술특징 - 이종접합 트랜지스터의 병렬 연결에 있어서, 각각의 emitter finger에 독립된 source를 연결한 muli-emitter 구조로서 차등 증폭기 구현에 있어서 효과적으로 처리한 발명과, 각각의 에미터를 두꺼운 금속 도선을 이용하여 열 적으로 단락시켜 전류이득이 급격히 감소하는 현상을 완화시켰다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전력변환 신호처리 기술
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-11-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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