일반기술

실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장방법

<기술의 개요>본 기술은 무분극 질화갈륨(GaN) 면을 가진 광소자를 제작할 경우에 가격이 싼 실리콘 기판을 사용하여 제작 단가를 낮출 수 있는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것이다.사파이어 기판 대신에 가격이 싼 실리콘 기판을 이용하여 무분극 질화갈륨(GaN)을 얻을 수 있기 때문에, 무분극 질화갈륨을 사용하여 광소자를 제작할 때, 제작 단가를 절감할 수 있다.실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것으로 실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하며, 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함한다.<기술의 특징>고가의 사파이어 기판 대신에 가격이 싸고 공정이 잘 알려진 실리콘 기판을 사용함에 따라 원가가 절감되는 효과가 있다.실리콘 기판을 사용하여 광소자를 제작하는 공정에서 상기 실리콘 기판은 대면적 기판이 상용화되어 있어서 대면적 기판에 의한 생산량이 증가하는 효과가 있다. 무분극 에피의 특성상 내부 양자효율을 획기적으로 높일 수 있기 때문에 질화갈륨 기반의 광소자(LED, LD 등)의 성능이 향상되는 효과가 있다.