일반기술

패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 발광 다이오드 제작시 n컨택을 위하여 진행되었던 메사 식각 면적을 줄이고, 전류 확산을 위하여 제한이 되었던 p컨택을 자유롭게 하여줌으로써 발광 다이오드의 휘도, 전기적 특성 및 열적 특성을 향상시키는 패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.본 기술은 패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판에 적층 된 제 1, 2반도체층에 메사 식각이 실행되는 제 1단계를 포함하고, 메사 식각이 이루어진 상부면 및 측면에 반사층(Reflectot)이 형성되는 제 2단계를 포함하며, 제 1반도체층에 하나 이상의 제 1전극이 컨택(contact)되고, 반사층의 상부에 하나 이상의 제 2전극이 컨택(contact)되는 제 3단계를 포함한다. 그리고, 컨택 된 제 1, 2전극을 제외한 부분에 제 1보호층(Passivation)이 형성되는 제 4단계를 포함하며, 하나 이상의 제 1전극이 제 1전극 라인을 통해 하나의 제 1본딩 패드로 연결되고, 하나 이상의 제 2전극이 제 2전극 라인을 통해 제 2본딩 패드로 연결되는 5단계를 포함한다. <기술의 특징>제 1전극과 제 2전극이 동일면에 형성되어 메사 식각되어진 면에 형성되는 패드에 추가로 본딩 패드를 형성할 필요가 없기 때문에 패드 숫자가 줄어들어 패드에 의한 광 흡수를 방지하여 광출력을 향상시키는 효과가 있다.반사층과 본딩 패드간의 직접적인 컨택이 없으므로 반사층의 손실을 감소시키는 효과가 있다.사파이어 기판을 떼어내는 공정이 추가될 경우에 수직형 칩에서 발생되던 오믹 문제를 해결함과 동시에 수직형 칩과 비슷한 성능을 얻을 수 있는 효과가 있다.