일반기술

칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 칩스케일로 패키징된 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서 특히, 반도체층 상에 구비된 제 1 전극과, 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하는 발광소자와 이들의 제조방법에 관한 것이다.발광소자의 제조과정에서 와이어 본딩과 다이 본딩과정의 생략으로 공정의 단순화 및 제조비용을 절감할 수 있으며 패키지의 두께를 줄일 수 있는 효과가 있어 발광 효율을 극대화할 수 있다. 이렇게 형성된 반도체 발광소자는 다른 패키지 및 인쇄회로기판에 곧바로 실장할 수 있는 장점이 있다.웨이퍼 상에 직접 칩 제작공정과 패키징 공정을 함께 수행함으로써 와이어 본딩과 다이 본딩 등의 과정을 생략할 수 있어 발광소자의 제조단가를 절감하고 생산성 부분에서 현저하게 향상된 효과를 얻을 수 있다.레이저 리프트 오프 공정 등을 이용하여 제조함으로써, 결합 수직형 발광 소자 및 횡방향(lateral)성장된 발광소자의 장점이 결합된 얇은 두께의 유연한 구조를 갖는 발광소자를 제공할 수 있는 효과가 있다.최소형의 패키징으로 백라이트 유닛이나 밀집 조명과 같은 설비에 이용될 수 있으며, 웨이퍼 레벨 상에서 유리나 형광체막 등을 추가로 더 형성하는 공정을 통하여 다양한 부분에 편리하고 간단한 공정으로 생산되는 발광소자를 얻을 수 있고 그에 따라 생산성과 수율이 향상되는 경제적 부가가치 창출의 효과가 있다.