일반기술

고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법

본 기술은 고내정전압을 가지는 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 제1 반도체층의 상면과 제2 반도체층 상면에 걸쳐서 구비되는 제1 전극층, 제1 전극층과 이격되어 제2 반도체층의 상면에 형성되는 투명전극층 및 투명전극층의 상면에 구비되는 제2 전극층을 포함하는 발광다이오드와 이들을 순차적으로 형성하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다전극의 형상을 통상적인 전극과 달리 배치하는 구조를 채택하여 정전기(electrostatic discharge)에 대한 내성이 있고, 전기적 충격에 강한 고신뢰성의 발광다이오드 소자를 제공할 수 있다.정전기에 강한 고내정전압을 가지고 고전압 하에서도 동작특성에 신뢰성이 우수한 발광다이오드를 제공한다.이들 발광다이오드가 포함된 전자제품 등의 내정전압 특성이 개선되어 고품질과 고성능의 전자제품 등을 공급할 수 있는 효과가 있다.이들 발광다이오드의 제조방법은 통상적인 제조방법과 다르지 않으면서 단지 전극층의 배치형태만을 변경하는 것이므로 간단한 공정을 통하여 내정전압 특성이 향상된 발광다이오드를 제공하는 경제적인 부가가치의 향상 효과를 기대할 수 있다.