일반기술

다중 활성층을 갖는 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 발광효율을 증가하기 위한 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 있어서, 기판 상에 적층되고, 적어도 복수 개의 활성층을 구비하는 발광층을 포함하는 반도체 발광소자로서, 각 반도체층을 통과하여 전류가 흐를 수 있도록 하는 금속전극층을 포함한다.본 기술은 반도체 발광소자에서 빛을 생성시키는 활성층의 면적을 크게 하기 위한 다중의 활성층과, 전류 주입과 흐름을 원활하게 하여 광추출효율을 향상시키는 금속전극층 및 절연막의 구조를 포함하는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.새로운 기술을 요하지 않는 기존의 에피택시 공정에 간단한 추가 공정으로서 반도체 발광소자의 빛을 생성시키는 활성층의 면적을 2배 이상 넓혀주어, 주입 전류에 따른 빠른 출력광의 포화를 막을 수 있고, 대면적 고출력 발광 소자를 기판상의 작은 면적으로 실현할 수 있기 때문에 수율 측면에서 유용한 효과를 얻을 수 있다.발광소자에서 광을 생성하는 활성층의 면적을 배수적으로 확대하는 구조를 제공함으로서, 작은 기판의 면적으로 고출력의 발광소자를 얻는 효과가 있다.간단한 추가공정과 적층구조의 개선으로서, 발광소자에서 반도체층의 정공확산을 용이하게 하고 높은 전류 주입에 따른 칩의 성능 저하를 줄이면서 활성층의 전 영역에 걸쳐 광을 획득할 수 있는 경제적인 부가가치를 창출하는 효과가 있다.구조적인 개선으로 인하여 높은 전류 주입으로도 칩의 성능이 저하되지 않기 때문에 전류의 주입량을 조절함으로써 활성층의 발광 파장을 다양하게 조절하여 다양한 파장영역의 발광소자를 제공하는 효과가 있다.