일반기술

반사막 전극, 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 반사막 전극, 반사막 전극이 구비된 화합물 반도체 발광소자 및 이에 대한 제조방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 오믹 접촉하여 형성하고 산화물 전극에 홀을 형성하여 광을 반사하는 금속 반사막을 홀 내부에 충진한 후, 그 위에 금속 반사막을 추가로 더 형성하여 광을 효율적으로 반사하는 것을 말한다 투명 산화물 전극에 n형 다 성분계 투명 산화물 전극과 p형 산화물 투명전극을 사용하고 금속 반사막 전극을 형성함에 의하여 발광한 빛의 반사율을 높일 수 있으며 열 방출 효율 및 출사 효율을 아울러 개선시킬 수 있어 고성능의 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.반도체층 상에 산화물 전극과 반사막 전극이 함께 오믹접촉되고 그 위에 다시 반사막 전극을 구비함으로써 발광한 빛의 반사율을 더욱 높일 수 있고 열 방출 효율 및 출사 효율이 향상되는 효과가 있다.화합물 반도체 발광소자의 제조 공정에서 산화물 전극에 홈을 형성하고 금속 반사막 전극을 충진하는 간단한 공정을 추가함으로써 고반사율과 낮은 접촉저항을 갖는 고효율 및 고신뢰도의 반도체 발광소자를 제조할 수 있고 경제적 측면에서 잇점이 있다.