일반기술

TiOx 투명 박막 트랜지스터 기술

본 기술은 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것으로, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 원자층증착법(ALD), 저기압화학기상증착법(LPCVD), 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 등을 이용하여 기판상의 활성층 위에 절연막으로서 증착함으로써 투명한 박막 트랜지스터를 제조하는 기술이다.투명 박막 트랜지스터 기술 분야에 있어서 옥사이드 트랜지스터는 ZnO를 적용하여 연구개발이 이루어져 왔으나, 양산 신뢰성이 아직 확보되지 않았으며 주요 핵심특허를 일본, 미국에서 보유하고 있어, 양산시 로얄티를 지급해야하는 문제가 있다. 그러나 TiOx 를 박막 트랜지스터에 적용하는 방법은 본 기술이 최초라는 점에서 의미가 크며, 양산성이 검증된 MOCVD 장비로 성능 개선이 이루어지는 경우 파급효과가 클 것으로 기대된다.