일반기술

후열처리에 따른 갈륨이 도핑된 산화아연 박막의 제조방법

본 발명은 후열처리에 따른 갈륨이 도핑된 산화아연 박막(GZO 박막)의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, (a) 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 기판 위에 증착하는 단계; 및 (b) 상기 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 질소 단독 또는 질소 및 수소의 혼합기체 분위기 하에서 후열처리하는 단계를 포함하는 갈륨이 도핑된 산화아연 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 갈륨이 도핑된 산화아연 박막에 관한 것이다.본 발명에 의하면 결정성 및 표면 형상이 우수하고, 전기 전도성과 같은 전기적 특성이 향상된 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 산화아연 박막의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다. 특히, 디스플레이 장치 분야에서 투명전극용 또는 윈도우용 재료로써 사용되고 있는 종래의 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, 이하 ITO)를 대체함으로써, 고가의 디스플레이 장치 등의 가격을 하락시킬 수 있을 것으로 기대된다.