일반기술

상변화 물질(Ｇｅ_ｘＳｂ_ｙＴｅ_ｚ)에 대한 건식 식각방법

기술개요)O본 발명은 상변화 물질(GexSbyTez)에 대한 건식 식각 방법에 관한 것이다. 특히, 브로민계 가스를 식각가스로 사용하고, 상기 식각가스를 플라즈마화하여 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 GexSbyTez 합금을 식각하는 단계를 포함하는 상변화 물질에 대한 건식 식각 방법에 대한 것이다. 본 발명의 건식 식각에 따른 상변화 물질은 종래 화학용액을 사용하는 습식 식각과 다른 식각가스와 식각공정 조건들을 사용하는 건식식각에 비해 그 결과로서 빠른 식각속도와 재증착이 없는 깨끗한 이방성 식각 프로파일을 보이는 등 우수한 식각 특성을 나타낸다.특징 및 대표청구항)O브로민계 가스로서 HBR 또는 BR2 및 H2의 혼합가스를 주 식각가스로 사용하고, 상기 식각가스를 플라즈마하여 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 GEXSBYTEZ 합금(식중, X, Y 및 Z는 정수)을 식각하는 단계를 포함하는 상변화 물질에 대한 건식 식각 방법.