일반기술

고 선형성 트랜스컨덕턴스 증폭기

기술개요 - 소스축퇴를 사용하여, 차동증폭기의 트랜스컨덕턴스를 선형화함으로써 성형성이 향상되는 차동 트랜스컨덕턴스 증폭기에 관한 것이다.기술특징 - 하나의 전류원(M4)으로 구성된 차동쌍을 기본 증폭기 구조로 사용하였다. 이 차동 증폭기에 소스축퇴 저항(R/2)을 사용하였고, 두 개의 트랜지스터(M2,M2')로 구성된 비선형 저항을 증폭기의 입력단(M1,M1') 소스사이에 첨가하였다. 이때 사용된 비선형저항 트랜지스터(M2,M2')는 차동입력이 가해지지 않은 상태에서는 전체 증폭기의 소스축퇴율을 변화시키지 않는다. 즉 차동입력전압이 없는 상태에서의 비선형 저항값이 무한대에 가깝도록 설계하였다. 차동입력전압이 가해지면, 비선형저항은 선형영역이 아닌 서브쓰레숄드(Subthreshold)영역에서 동작한다. 이렇게 비선형저항이 서브쓰레숄드 영역에서 동작하도록 하려면, 입력단에 사용된 트랜지스터 M1,M1'보다 높은 임계전압(threshold)을 갖도록 설계하여야 한다.