일반기술
비대칭 도핑 폴리-실리콘 게이트 구조의 다중 게이트 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법
다중 게이트 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 방법 중 채널을 둘러싸고 있는 폴리실리콘 영역을 제1게이트 제2게이트 부분으로 구분하고, 각각의 영역을 비대칭 도핑하여 문턱전압의 조절 및 누설 전류를 최소화하는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-11-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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