일반기술
엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법
본 발명은 엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛이 없는 조건에서 불산 용액에 담긴 실리콘의 표면에 엑스선을 조사함으로써 선택적인 습식에칭을 할 수 있는 방법으로 엑스선이 조사된 부분의 실리콘 내부 및 표면에서 발생된 홀들은 용액내의 불산이온과 반응하여 실리콘이 용액 내로 용해될 수 있게 한다. 본 발명은 기존의 광원으로 사용된 레이저 및 자외선과 함께 이용 가능한 광원의 영역을 엑스선까지 확장시켰으며 기존광원에 비해 짧은 파장을 갖는 엑스선을 이용한 습식에칭은 나노 크기의 영역까지 선택적 에칭에 활용될 수 있고, 공간상의 고분해능을 갖는 장점을 제공한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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