일반기술
질화물계 발광소자의 제조방법
본 발명은 질화물계 발광소자의 외부 양자효율을 증가시키기 위한 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 N형 클래드층, 활성층, 및 P형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 P형 클래드층 상부에 마스크용 알루미늄층을 형성하는 단계와, 알루미늄층을 양극산화처리하여 다수의 홀을 형성하는 단계와, 홀을 통해 P형 클래드층의 표면을 일정 깊이 식각하는 단계와, 잔류된 알루미늄 산화층을 제거하는 단계와, P형 클래드층 위에 오믹컨택트층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 질화물계 발광소자의 제조방법에 의하면, 활성층에서 생성된 빛의 외부로의 탈출 효율을 높일 수 있는 패턴구조를 규칙적이면서도 용이하게 형성할 수 있고, 오믹컨택트층의 접촉 면적의 증가로 인하여 오믹 접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 제공할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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