일반기술

ＲＣＥ-ＰＤ의 제조 방법

본 발명은 DBR을 사용하는 RCE-PD 소자를 제조함에 있어서, VCSEL용 에피 웨이퍼를 사용하여 제작할 경우, RCE-PD의 상단 DBR 일부 층을 식각하여 높은 양자효율을 얻도록 반사율을 RCE-PD에 최적화시킴과 동시에 공진 파장을 튜닝시켜 장파장 또는 단파장 쪽으로 조절하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명은 기판 상에 하단 DBR, N-전극 유전체 층, 흡수영역을 갖는 공진부, P-전극 유전체 층, 상단 DBR을 순차적으로 형성한 VCESL용 웨이퍼를 준비하는 제1과정과, 상기 상단 DBR 일부 층을 식각하여 상기 상단 DBR의 반사율이 RCE-PD의 동작에 적합하도록 공진 파장을 튜닝하는 제2과정과, 상기 식각된 상단 DBR과, P-전극 유전체 층과 공진부 및 N-전극 유전체 층을 원통형으로 각각 식각하여 N-전극 및 P-전극이 형성되는 RCE-PD를 제조하는 제3과정을 포함한다. 따라서, VCSEL 에피 웨이퍼를 사용하여 제작될 경우, 양방향 VCSEL 발진 파장과 RCE-PD의 공진파장 불일치 문제를 해결할 수 있고 VCSEL과 RCE-PD의 모노리식 집적이 가능하게 하는 효과가 있다.