일반기술
에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법
본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 방법 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다. 특히 저항변화를 이용한 저항성 메모리(Resistance RAM, 'ReRAM') 소자의 신뢰성을 개선하기 위한 단결정 산화막을 형성하기 위하여 실리콘 기판 위에 질화티타늄(TiN)을 에피택시로 성장시킨다. 본 발명에 따르면 단결정 산화막을 포함하는 비휘발성 기억소자를 용이하게 제작할 수 있어 비휘발성 반도체 기억소자의 저항 변화값을 극대화하고 균일하고 안정적인 반도체 기억소자의 동작 특성을 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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