일반기술
나노선 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
기판 상에 식각을 통하여 한 쌍의 전극이 형성될 홈들을 형성하는 단계, 한 쌍의 전극이 형성될 홈들에 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계 및 한 쌍의 전극에 전압을 인가하여 비균일 전기장의 형성으로 인한 유전영동을 포함하는 전기화학적 힘에 의해 한 쌍의 전극간에 반도체 나노선을 정렬하는 단계를 포함하여 나노선 전계효과 트랜지스터를 제작하는 방법을 구성한다. 따라서, 나노선의 정렬을 유전영동의 방법을 이용하여 제어함으로써 대량생산에 적합하고 생산수율이 개선되는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.