일반기술
반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
분포궤환 반도체 레이져 소자의 제조방법이 개시된다. 회절격자를 채널 내에만 형성하기 위해서, 광도파로 구조를 형성시에 이용된 식각마스크를 잔류시킨다. 또한 오믹콘택층의 측면 부위의 일부를 제거한다. 리프오프방식으로 회절격자의 위치 외에 잔류하는 금속층을 제거한다. 본 발명은 또한 분포궤환 레이저의 회절격자를 형성하는데 있어서 홀로그램 노광 방법 혹은 나노 임프린트 방법을 이용하며, 자기정렬 방식으로 회절격자가 형성된다. 본 발명에 따라 제조된 분포궤환 레이저는 대량생산에 적합한 기술과 구조를 사용할 수 있고, 또한 뛰어난 재현성을 보장하며, 나아가 생산 단가를 낮추어 기존 분포궤환 레이저의 단점을 보완할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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