일반기술

백색 엘이디의 제조 방법

본 발명은 백색 LED의 제조방법에 관한 것으로 ELOG를 제작하는데 있어 mask의 크기를 달리하여 그 위에 활성층을 성장시킴에 따라 한 칩에서 여러 종류의 파장의 빛을 내도록 하는 백색 LED의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 사파이어 기판위에 버퍼층, u-GaN층, Si가 도핑된 n-GaN층, SiO₂ 층을 순서대로 성장한 후, 상기 SiO₂ 층 위에 각각 일정한 비율로 이루어진 적어도 두개 이상의 윈도우/마스크 패턴을 형성한다. 그리고, 상기 일정한 비율로 이루어진 윈도우/마스크 패턴 중 상기 윈도우 부분만을 오픈시켜 상기 SiO2 층을 식각(etching)한 후, 상기 부분적으로 식각된 SiO₂층 위에 피라미드형 ELOG GaN층, InGaN/GaN MQW(Multiple Quantum Well) 활성층 및 P-GaN을 성장한다. 본 발명은 단일칩이 여러파장의 빛을 내도록 설계하여 단일 칩 백색 발광소자를 제작할 수 있으며, 가시광선 전체 영역을 발광할 수 있어서 연색지수 또한 높으므로 실내조명이나 디스플레이 조명으로 사용하기 적합한 효과가 있다.