일반기술
나노 와이어 반도체 소자, 이를 구비하는 반도체 메모리소자 및 그의 제조 방법
나노 와이어 반도체 소자, 이를 구비하는 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 메모리 소자는, 표면에 유전층이 구비된 소자 형성 기판, 상기 소자 형성 기판 상에 배열된 복수의 나노 와이어, 상기 복수의 나노 와이어 상부에 각각 배치되며, 상기 하나의 나노 와이어 상에 소정 거리 이격되도록 배치된 소오스 및 드레인 전극, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 나노 와이어의 접촉 부분에 위치되는 실리사이드 섬을 포함한다. 이때, 상기 반도체 기판에 인가되는 전압 및 상기 소오스/드레인 전극에 인가되는 전압에 의해 상기 실리사이드 섬을 통해 전하가 포획 및 소거된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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