일반기술
실리콘게르마늄 반도체 소자 구조 및 그 제조 방법
본 발명은 SiGe 반도체 소자 구조 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, SiGe 반도체 소자 구조에 있어서, 기판을 콜렉터 전극으로 사용하며, 상기 기판과 금속배선의 정전용량을 줄이도록 언도프트 Si(undoped-Si)층을 이용하여 서브-콜렉터를 형성시키고, 프론트-배리어 SiGe층을 베이스에 삽입시켜 구성함으로서, SiGe HBT에서 고농도 Ge의 프론트-배리어를 적용한 베이스 구조를 채용하여 도핑되는 불순물의 분포를 매우 얇은 영역에서 정확하게 제어하고, 에미터-베이스 접합에서 밴드갭도 정확하고 재현성 있게 제어하여 전류의 이득특성과 제어의 정확성을 향상시켜 소자의 선형성과 신뢰성을 높일 수 있게 되는 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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