일반기술
자기정렬 에피성장층을 채널로 이용하는 반도체 소자구조의 제조 방법
본 발명은 자기정렬 에피성장층을 채널로 이용하는 반도체 소자구조 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 기판 위에 템플레이트 에피층을 성장시키는 제 1 단계와; 상기 제 1 단계 후 템플레이트를 성장시키는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후 자기정렬된 에피층을 증착시키는 제 3 단계와; 상기 제 3 단계 후 CMP된 표면을 형성하는 제 4 단계와; 상기 제 4 단계 후 상기 템플레이트를 제거하고, 산화막을 성장시키는 제 5 단계와; 상기 제 5 단계 후 게이트 박막을 증착시키는 제 6 단계와; 상기 제 6 단계 후 게이트 패턴을 형성하고, 절연막으로 패시베이션하는 제 7 단계;를 포함하여 구성함으로서, 극 미소화로 인하여 제작이 매우 어려운 45nm급 이하로 기술이 진보하는 반도체 소자의 채널을 자기정렬형 에피성장으로 형성할 수 있게 되는 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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