일반기술

반도체 구조물, 이의 제조 방법 및 반도체 발광 다이오드

본 발명은 반도체 구조물로서, 요철이 형성된 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층을 포함하고, 상기 요철은 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 볼록부와, 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 오목부와, 상기 볼록부와 오목부를 연결하여 소정의 기울기를 갖는 경사진 평면 또는 소정의 곡률을 갖는 곡면 형상의 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 다이오드를 제공한다. 상기 요철의 볼록부 상에 형성된 성장 마스크 패턴을 포함할 수 있다. ; 본 발명은 습식 식각을 통해 기판 표면에 요철을 형성하고, 식각에 의해 형성된 기판의 결정면에 반도체층을 수직 및 수평 성장시켜 반도체층의 관통 전위를 감소시킴으로써 결정성을 향상시킬 수 있다. 이로 인해 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 향상시키고 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한 기판의 요철 또는 성장 마스크 패턴의 다양한 각을 갖는 표면으로 인해 반도체 발광 다이오드의 적출 효율을 향상시킬 수 있다.