일반기술
화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
본 발명은 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법에 관한 것으로, 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 위에 직접 접촉하며 섬형상의 단결정 씨드를 구비하여 단결정 아일랜드 층을 형성하는 단계와, 상기 단결정 아일랜드 층의 수평 성장을 촉진하여 평탄하고 연속적인 단결정 층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 기판 위에 단결정 아일랜드 층을 성장시킨 후 단결정 박막을 형성하여 결정성이 우수한 저 결함의 화합물 반도체 단결정 박막을 제조할 수 있고, 결정 결함이 억제되고 결정성이 향상된 반도체층으로 인해 소자의 성능을 향상시킬 수 있고, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 버퍼층을 배제하고 기판 위에 바로 단결정 박막을 형성하므로 제조 공정을 단순화할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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