일반기술
질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
동종접합 구조의 질화물계 반도체 나노와이어를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 발광 다이오드는, 기판 상에 형성된 제 1 도전형의 질화물계 반도체층을 포함한다. 제 1 전극은 질화물계 반도체층 상에 형성된다. 제 2 전극은 질화물계 반도체층 상에 절연층을 개재하여 형성되고, 제 1 전극과 이격된다. 하나 또는 복수의 질화물계 반도체 나노와이어들은 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형을 갖고, 질화물계 반도체층 및 제 2 전극을 연결하도록 배치된다. 그리고, 질화물계 반도체층 및 질화물계 반도체 나노와이어들은 동종접합을 형성한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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