일반기술

16- 페녹시 프로스타트리에노산 유도체의 제조 방법

알키닐 화합물에 아세틸렌기를 도입하고 알렌화합물을 거쳐 16-페녹시 프로스타트리에노 산 유도체를 보다 간단하게 제조할 수 있다 <구성>1알파-히드록시-4알파-(테트라하이드로피란-2-일옥시)-3베타-(3알파-테트라하이드로피란-2-일옥시)-4-페녹시-1(이)-부텐-1-일)시클로펜트-2알파-일)아세트알데히드 락톨상기식에서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴,또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며 서로 같거나다를 수 있다. P는 수소, 트리메틸실릴 또는 트리부틸틴이며, 파상선을 에피입체 혼합물이다.청구항 2. 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌을 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 알키닐화합물의 제조방법.일반식(Ⅰ)에 있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며서로 같거나 다를 수 있다. 일반식(Ⅵ)에 있어서, M은 리튬, 클로로마그네슘, 또는 브로모마그네슘이며, 일반식(Ⅰ) 및일반식(Ⅵ)에 있어서 P는 수소, 트리메틸실릴, 또는 트리부틸렌이며 파상선을 에피입체 혼합물을 표시한다. 일반식(Ⅴ)에있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. 청구항 3. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리메틸실릴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)b의 알키닐 화합물(P=-S)을 제조한 다음 1.2당량의 테트라부틸암모늄 플루오라이드와 다시 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 4. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리부틸틴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)c의 알키닐 화합물(P=Sn(n-Bu)3)을 제조한 후 1-2당량의 n-부틸리튬을 -78℃에서 가한 후 15~25℃로 가온하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 5. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 6. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과, 10당량의 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 에티닐 마그네슘 브로마이드 또는 에티닐 마그네슘 클로라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -5~20℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 7. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물인 프로파르길 에스테르 화합물을 제조하기 위하여 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)을 트리에틸아민과 염화메틸렌 및 촉매량의 4-디메틸아미노피리딘 존재하에 20~25℃에서 무수아세트산 또는 아세틸 클로라이드와 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)d의 프로파르길 에스테르 화합물의 제조방법.청구항 8. 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물과 10-20당량의 일반식(Ⅶ)의 3-t-부틸디메틸실릴옥시마그네슘 브로마이드와10-20당량의 커퍼(Ⅰ) 이오다이드 트리에틸포스파이트 혼합액을 테트라하이드로푸란 용매하에 -40~0℃에서 첨가시킨 후15~25℃에서 반응시켜 일반식(Ⅷ)의 알렌 화합물을 제조하는 제1공정과, 일반식(Ⅷ)의 알렌 화합물과 테트라부틸암모늄플루오라이드를 테트라하이드로푸란 용매 존재하에 15~20℃에서 반응시켜 일반식(Ⅸ)의 1-히드록시 화합물을 제조하는 제2공정, 일반식(Ⅸ)의 1-히드록시 화합물에 메탄올 용매하에서 1.2-2당량의 무수 탄산칼륨을 15~25℃에서 반응시켜 일반식(Ⅹ)의 1,9-디히드록시 화합물을 제조하는 제3공정, 일반식(Ⅹ)의 1,9-디히드록시 화합물과 5-10당량의 피리디늄 디크로메이트를 염화메틸렌 용매하에서 15~25℃에서 반응시켜 일반식(XI)b의 9-옥소 화합물(R3=CHO)을 제조한 다음 이를 메탄올과 N,N-디메틸포름아미드에 용해하고 다시 5-10당량의 피리디늄 디크로메이트와 15~25℃에서 반응시켜 일반식(XI)c의 9-옥소 화합물(R3=CO2CH3)을 제조하는 제4공정, 일반식(XI)c의 9-옥소 화합물(R3=-CO2CH3)을 포름산과 물 및 테트라하이드로푸란 혼합액(19 : 11 : 3)에서 201. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 알키닐 화합물.상기식에서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴,또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며 서로 같거나다를 수 있다. P는 수소, 트리메틸실릴 또는 트리부틸틴이며, 파상선을 에피입체 혼합물이다.2. 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌을 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 알키닐화합물의 제조방법.일반식(Ⅰ)에 있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며서로 같거나 다를 수 있다. 일반식(Ⅵ)에 있어서, M은 리튬, 클로로마그네슘, 또는 브로모마그네슘이며, 일반식(Ⅰ) 및일반식(Ⅵ)에 있어서 P는 수소, 트리메틸실릴, 또는 트리부틸렌이며 파상선을 에피입체 혼합물을 표시한다. 일반식(Ⅴ)에있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. 3. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리메틸실릴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)b의 알키닐 화합물(P=-S)을 제조한 다음 1.2당량의 테트라부틸암모늄 플루오라이드와 다시 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리부틸틴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)c의 알키닐 화합물(P=Sn(n-Bu)3)을 제조한 후 1-2당량의 n-부틸리튬을 -78℃에서 가한 후 15~25℃로 가온하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.5. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 6. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과, 10당량의 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 에티닐 마그네슘 브로마이드 또는 에티닐 마그네슘 클로라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -5~20℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 7. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물인 프로파르길 에스테르 화합물을 제조하기 위하여 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)을 트리에틸아민과 염화메틸렌 및 촉매량의 4-디메틸아미노피리딘 존재하에