일반기술
버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조 방법 및 수직전도형소자
본 발명은 Si계 기판상에 두꺼운 GaN 버츄얼 에피층을 성장시킬 수 있는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Si계 기판상에 저온 버퍼층, 제1 GaN 에피층, Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층, 제2 GaN 에피층을 순차적으로 성장시킨 후 이온주입기법 및 어닐링(Annealing)에 의하여 상기 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층을 비정질의 SiO2층으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 질화갈륨계 에피기판의 제조방법에 관한 것이다.; 이와 같은 질화갈륨계 에피기판의 제조방법은 원하는 두께 및 형상의 SiO2층을 GaN 에피층의 하부에 정밀하게 형성함으로써, 균열없이 두꺼운 GaN 버츄얼 에피층을 성장시킬 수 있는 이점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 화학
- 보유기관
- 전북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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