일반기술
광 리소그래피를 위한 레지스트 플로우 모델링 방법
기술 개요)O본 발명은 차세대 반도체 소자를 개발하기 위해 필요한 공정 중 한 부분에서 요구되는 과정으로서 미세 나노 디바이스의 제작시 소자의 각 부분에 대한 온도, Device Matching, 기타 제작 변수 등의 변화에 대한 소자의 성능에 대한 데이터 값들을 FDTD 알고리즘과 PEB 알고리즘을 통해 계산한다. 이를 통해 얻어진 정확한 리소그래피 모델을 생산자에게 제공함으로써 새로운 소자 공정 개발에 따른 개발 시간의 단축 및 그에 대한 소요되는 비용을 줄이고 제작되는 소자의 성능을 최적화하는 것임기술 특징 및 대표 청구항)O반도체의 광 콘트라스트 특징에 따라 각각 다른 식각 과정이 생기며 이에 따라 생기는 기타 효과들을 고려하는데 있어서, 원하는 구조의 패턴으로부터 패턴 파라미터 값들을 얻을 수 있는 해석 방법임
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-08
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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