일반기술
나노미터 스케일의 전계효과트랜지스터에 대한 문턱전압모델링 방법
기술 개요)O본 발명은 차세대 반도체 소자구조 중 하나로 각광 받고 있는 벌크 FinFET 구조의 실제 공정 시 나타나는 게이트 부분의 코너 효과를 고려하여 문턱 전압을 계산하는 방법을 제공함으로써 나노미터 전계 효과 트랜지스터 설계를 용이하게 하는 것임기술 특징 및 대표 청구항)OBulk FinFET의 단채널 효과와 폭 좁은 효과를 고려하는 모델링 방법에 있어서, fitting parameter를 도입하고, Bulk FinFET의 실제 공정 시 나타나는 코너 효과를 고려하기 위해 corner factor를 도입한 Tri-gate 구조의 문턱 전압 해석 방법임
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-08
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.