일반기술

AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법

o 기술 요약 및 특징 본 발명은 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 실리카 하부 클래드층, 코어 및 폴리머 상부 클래드층을 포함하는 도파로를 형성하고, 폴리머 상부 클래드층의 일부 영역에 자외선(UV 레이저광)을 조사하여 폴리머 상부 클래드층의 굴절률을 변화시킴으로써, 파장이 변화하여 온도 조절 장치를 사용하지 않고도 중심 파장을 트리밍할 수 있으며, 제작과정에서 AWG의 ΔL(인접한 어레이 도파로 간의 길이차)가 설계대로 만들어지지 않고 치수가 서로 달라 불량이 발생한 경우 UV 레이저 광의 조사로 굴절율을 조절(trimming)하여 원하는 규격(spec)의 중심 파장을 얻을 수 있음o 관련기술정보 및 현황 종래의 기술은 온도조절장치를 부착하는 방법을 주로 사용해 왔으며, 펠티어 소자 및 히터 등의 온도 조절장 치는 항상 전력을 필요로 할 뿐만 아니라 사용 가능한 외부환경도 제한적인 문제점이 있음

기술정보

기술분류
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
보유기관
전남대학교
기술유형
일반기술
등록일
2008-12-09
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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