일반기술

전계 방출용 마이크로-팁 및 그 제조방법

본 발명은 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 모울드를 형성하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 뒤, 상기 기능성막 상에 반도체(또는 금속)팁을 형성하는 공정과; 상기 반도체(또는 금속)팁 상에 전도성 박막을 형성하는 공정과; 상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 공정을 포함하여 마이크로-팁 제조를 완료함으로써, 1) 기능성 막을 팁의 모양과 일치하도록 형성할 수 있게 되어 반도체 팁이 가지는 구조적인 장점들과 함께 기능성 막 재료의 장점들도 동시에 공유할 수 있을 뿐 아니라 2) 모울드의 모양을 매우 뾰족한 모양으로부터 둥그스름한 모양에 이르기까지 조절할 수 있어 기능성 막의 도포 방법에 따라 모울드의 모양을 유연성 있게 선택 사용할 수 있는 잇점을 갖는 고신뢰성의 전계 방출용 마이크로-팁을 구현할 수 있게 된다.1. 실리콘 모울드를 형성하는 모울드 형성 공정과;상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 후, 상기 기능성막 상에 팁을 형성하는 기능성박막이 코팅된 팁형 성공정과; 상기 팁의 일면에 전도성 박막을 형성하는 전도성 박막 형성공정과;상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 지지수단 형성공정과; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 기능성막 노출공정을 포함하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 모울드를 형성한 후, 그 실리콘 모울드에 산화막을 형성하여 이후에 형성되는 기능성막이 코팅된 팁의 형상을 조절하는 팁형상 조절공정을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 모울드형성공정은 결정방향이 100인 반도체 기판상에 결정방향이 110인 기판의 일면에 대하여, 수직 혹은 평행인 방향으로 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 패터닝하여 기판의 일부를 노출시킨 후, 그 노출되 ㄴ기판을 결정 의존성 식각하여 단면이 V형인 홈을 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 팁은 반도체 또는 금속 물질을 선택하여, 박막 증착법 또는 프린팅 법 또는 전기 도금법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 지지수단 형성공정에서 접합하는 기판은 반도체나 유리 혹은 금속기판중 어느 하나를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.5.제 1항에 있어서, 상기 팁형상 조절공정은 상기 실리콘 모울드의 상부에 열산화막을 성장시키는 단계와;상기 열산화막을 식각하여 이후에 형성하는 기능성막이 코팅된 팁의 끝부분을 둥글게 형성되도록 하는 열산화막 식각단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.