일반기술

Ⅲ족 원소와 질소(앤)의 코도핑을 이용한 피형 산화아연박막의 제조방법

o 기술 요약 및 특징본 발명은 안정적인 P형 특성을 보이는 Ⅲ족 원소와 질소(N)가 코도핑(co-doping)된 P형 산화아연 박막의 제조방법에 관한 것으로서 갈륨(Ga)과 질소(N)의 코도핑을 이용함으로써 결정성 및 전기적 특성이 우 수한 P형 산화아연 박막을 제조방법을 제공함. 또한, 시간에 따른 전기적 특성이 저하되지 않는 안정적인 P형 특성을 보여주는 산화아연 박막을 제조할 수 있음. 따라서 산화아연계 발광다이오드나 광응용소자 등을 제조하는데 효과적으로 적용할 수 있으며, 스퍼터링법을 이용하기 때문에 저렴한 가격으로 제조할 수 있음o관련기술정보 및 현황 - 최근 산화아연(ZnO)은 자외선 발광장치 등의 청색 재료로 주목받고 있음 - 광전자소자 등을 제조하기 위하여는 N형 및 P형의 에피택셜(epitaxial) 박막을 구현하는 것이 필수적이며, 산화아연의 경우 고품질의 N형 박막은 Ⅲ족 원소의 도핑에 의하여 용이하게 구현할 수 있으나 P형의 경우 상기 산화아연은 균형 잡히지 않는 도핑한계 때문에 얕은 억셉터 레벨의 형성에 어려움이 있음 - 따라서 안정적인 P형 특성을 보이는 산화아연을 제조하기 위한 연구가 진행중임