일반기술

양자우물 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드

o 기술 요약 및 특징본 발명은 온도특성을 개선한 양자우물 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, SCH층의 외곽영역에 각각 n형 및 p형 변조도핑을 쌍으로 함으로써, SCH층의 에너지 밴드 모양을 변화시켜 반도체 레이저 다이오드의 온도특성이 향상될 수 있는 이점이 있음o 관련기술정보 및 현황 - 최근 들어 광 가입자망의 발전에 따라 저가의 통신용 광원에 대한 요구가 증대되고 있다. 저가의 통신용 광원을 제작하기 위해서는 온도특성이 좋아 높은 온도에서도 열전냉각장치가 없는 레이저의 필요성 대두 - 통상적으로, 광통신에 사용하는 약 1.3∼1.6㎛ 파장대에서 반도체 레이저 다이오드를 제작하기 위해서 InGaAsP/InP 계열의 물질이 사용되나, 이 물질은 전도대의 밴드 오프셋(band offset)이 작아 양자우물에 주입된 전자가 쉽게 장벽층(3b) 내지 SCH(Separat Confinement Heterostructure) 구조로 빠져나가게 된며, 이때 빠져나가는 전자의 양이 온도에 따라 크게 증가하므로, 고온에서 레이저의 특성이 저하되는 원인이 됨 - 위의 문제점을 해결하기 위해 InGaAlAs/InP의 새로운 물질계에 대한 연구가 진행중임