일반기술

광전소자의 전류차단구조 형성방법

본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 기판의 기울기에 따라 그 기판위에 성장되는 P형 갈륨비소 에피층의 정공농도차를 이용하여,경사면을 갖는 기판에 P형 갈륨비소 에피층을 성장시켜 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 기판은(Ⅲ)방향의 경사면을 갖는 V자홈이 형성된(100)방향의 갈륨비소기판인 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, P형 갈륨비소 에피층은 유기금속 화학증착방법을 사용하여 상기 V자홈이 형성된 갈륨비소기판상에 성장시켜 된 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.