일반기술

저전류 고밀도에 의한 플라즈마 질화방법 및 그 장치

본 기술은 질화처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 저에너지를 활용한 고밀도의 질화처리를 수행하므로, 제품 표면에 나노 크기의 질화물을 형성하거나, 제품 표면에 화합물 층 두께를 두껍게 형성하는 것이 가능하도록 한 저전류 고밀도에 의한 플라즈마 질화방법 및 그 장치에 관한 것이다.이를 위한, 본 기술의 질화방법은 노 내부에 스퍼터링을 위한 기체를 투입하여 시편 표면의 잔류가스 및 불순물을 제거하고, 노 내부 질소와 수소를 투입하되 다중 중공음극체에 저전류의 전력을 가해 고밀도의 플라즈마를 생성하며, 이로 인해 플라즈마 내 질소 플라즈마의 상태를 바꾸어 질화물 층을 나노크기로 만들 수 있는 것을 특징으로 한다.상기한 구성에 따라, 다중 중공음극체를 통과하는 이온의 운동량 및 반응을 최대로 하여 고밀도의 플라즈마를 생성함으로써, 시편 표면에 조도의 변화가 거의 없는 고경도의 질화층을 형성할 수 있는 효과가 있다.