일반기술

질화 규소막 또는 산화 규소막으로 코팅된 고온용 흑연 실험 용기 및 그의 제작 방법

흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.1. 흑연을 주재질로 하여 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.2. a) 시판되는 흑연을 기계 가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 증류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600~900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법.3. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 저압 화학증착(low pressure dhemical vapor deposition) 반응기이고, SiH₄/H₂ 기체를 사용하여 기판 온도 250~400℃ 및 압력 1~10torr에서 승착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 산화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.4. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor depostition) 반응기이고, SiH₄/H₂/NH₃ 기체를 사용하여 기판 온도 300~400℃, 압력 0.1~0.5torr 및 전력 50~100W의 조건에서 증착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 질화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.5. 제3항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 600~800℃의 온도에서 산소 분위기하에 행하여 산화 규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제4항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 750~900℃의 온도에서 질소 분위기하에 행하여 질화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.7. 흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막을 형성시킨 열전대용 흑연 캡.