일반기술

Ｘ선 회절 분석을 이용한 활성산소의 정량적 측정방법

본 발명은 X선 회절 분석을 이용한 활성산소의 정량적 측정방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 실리콘 기판 위에 광감응물질을 증착하고 상기 광감응물질 위에 유기물 박막이 코팅된 광감응물질 시편과 실리콘 기판 위에 피산화제 박막이 증착된 피산화제 박막 시편을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 얻은 두 시편을 하나의 팩에 진공포장시키는 단계(단계 2); 상기 단계 1의 광감응물질과는 다른 종류의 광감응물질이 증착된 광감응물질 시편과 단계 1의 피산화제 박막 시편을 준비하여 이들 두 시편을 별도의 팩에 진공 포장시키는 단계(단계 3); 상기 단계 2 및 3의 진공 팩에 800~1000 nm의 근적외선을 조사하여 활성산소를 발생시키는 단계(단계 4); 및 상기 상이한 광감응물질 시편으로부터 발생된 활성산소에 의해 산화된 각각의 피산화제 박막 시편에 대해 X선 회절 분석을 수행하는 단계(단계 5)를 포함하는 X선 회절 분석을 이용한 활성산소의 정량적 측정방법을 제공함으로써, 피산화제 박막인 철 박막에 형성된 Fe2O3(104) 및 Fe3O4(440) 피크의 강도 비로부터 철 박막의 두께를 구하고, 이로부터 활성산소의 양을 구할 수 있다.