일반기술

플라즈마 화학 증착법에 의한 텅스텐 박막 증착 방법

<목적>고집적 반도체 소자의 제조 공정중 금속 배선의 형성에 관한 것으로 특히 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 맞은 저항의 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 것이다. <구성>반응 기체인 WF6-H2 반응계의 H2:WF6 의 분압비를 15:1 이상으로 유지하고 0.1-1 torr의 증착 압력으로 250-500 도의 증착 온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 한다. <효과>텅스텐 박박을 제조할 때 급속 열처리 등의 번거러운 공정을 배제한 채 사용되는 반응 기체의 분압비를 분압비를 일정 범위내로 유지하여 증착이 이루어져 낮은 비저항값을 나타내는 텅스텐 박막을 얻을 수 있다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF4-H2반응계의 H2:WF6의 분압비를 15:1이상으로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.2. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-SiH4-H2반응계의 SiH4:WF6의 분압비를 0.5~1.5:1로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250~500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.