일반기술

CBr4 개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법

본 발명은 CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr4개스를 유 입시키므로써, 상기 CBr4유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할 수 있게 된다.1. 반도체 소자 제조공정에 있어서, 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속 화학증착법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 CBr₄을 유입하여 에피층을 성장시키는 과정에서 에피층 성장온도 또는 원료 개스인 5족 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비를 변화시켜 에피층의 측면 성장율을 조절하는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 패터닝된 GaAs기판은 광노광법 또는 습식식각법으로 식각처리하여 메사 또는 V홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 에피층 성장온도는 600℃내지 800℃범위 내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 2항에 있어서, 상기 원료 개스인 5종 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비는 5내지 120 범위내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.