일반기술
마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자 및 그 제조방법
본 발명에 의한 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자(electro-luminescentdisplay device) 및 그 제조방법은, Si 기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용한 식각공정으로 Si 기판을 식각하여 측면에 Si 마이크로-미러를 갖는 웰을 형성하는 공정과; 상기 기판의 웰 밑면 상에 하부절연층을 형성하는 공정과; 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층상에 상부절연층을 형성하는 공정 및; 상기 상부절연층 상에 상부전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1)종래 SiO2 박막 미러에 의해 Si 마이크로-미러의 식각 표면특성을 매우 평탄(smooth)하게 형성할 수 있게 되므로 난반사를 줄일 수 있고, 공정재현성이 뛰어나다는 잇점을 가지며, 2)발광층의 측면으로 방출되는 빛을 마이크로-미러를 통해 전면방출시 효과적으로 이용할 수 있으므로, 전면방출 만을 갖는 종래의 ELD 소자에 비해 휘도 특성을 10배 이상 개선할 수 있을 뿐 아니라 발광효율도 2배 이상 상승시킬 수 있게 된다.1. 기판의 상부에 하부절연층, 미러, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 순차적으로 적층된 전계발광표시소자에 있어서, 상기 기판은 측면부가 경사지게 형성되며, 그 측면부에 Si 마이크로-미러를 갖으며, 그 저면이 평탄한 함몰지역이 형성되어 있으며, 상기 미러를 제외한 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 상기 기판의 함몰지역 저면으로 부터 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.2. 제 1 항에 있어서, 상기 Si 마이크로-미러는 사면 또는 이면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.3. 제 1 항에 있어서, 상기 전계발광표시소자는 기판의 웰 밑면과 하부절연층 사이에 위치하는 하부전극을 더포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.4. 제 1 항에 있어서, 상기 함몰지역을 갖는 기판의 상부와 하부절연층의 사이에 위치하여 그 기판의 상부면형상을 그대로 유지하며, 그 재질이 Al, Mo, Ta, W중 선택된 어느 하나로 이루어지는 금속층을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.5. Si 기판의 상부에 하부절연층을 증착하는 하부절연층 형성공정과; 그 하부절연층의 상부에 산화막, 다결정실리콘, 산화막을 순차적으로 증착하여 평면형박막 미러를 형성하는 미러형성공정과; 상기 박막 미러의 상부에 발광층.상부절연층 및 상부전극을 순차적으로 증착하고, 기판상에 증착된 상기 하부절연층, 박막 미러, 발광층, 상부절연층 및상부전극을 패터닝하는 박막 증착 및 패턴 형성공정으로 이루어지는 전계발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 Si 기판을 그 Si 기판의 상부일부영역을 소정두께로 식각하여 측면이 경사지며, 그 저면이 평탄한 함몰지역을 형성하고, 그 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 하부절연층을 증착하고, 상기 미러형성공정을 제조공정에서 제외시킴과 아울러 상기 박막 증착 및 패턴 형성공정은 상기한 박막을 증착한 후, 상기 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및상부전극의 일부를 식각하여, 그 잔존하는 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극의 적층구조가 상기 기판에 형성한 함몰지역의 평탄한 저면상에 위치하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.6. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판에 함몰지역을 형성할때 사용하는 식각마스크는 직사각형 모양의 창이 형성된 구조 또는 스트라이프 모양의 창이 형성된 구조를 가지는 것을 사용하여 그 함몰지역의 측면이 하부절연층, 발광층,상부절연층 및 상부전극 적층구조의 이면 또는 사면에 위치하도록 그 함몰지역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.7. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판은 KOH + 물로 이루어진 혼합 수용액으로 식각하여 그 함몰지역의 측면 및저면에 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.8. 제 5 항에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 Al, Mo, Ta, W중 선택된어느 하나를 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.9. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판을 유리기판으로 대체하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를갖는 전계발광표시소자의 제조방법
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-12-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.