일반기술
하프늄 실리케이트박막 제조방법
반도체 소자에 게이트 산화막(gate oxide) 공정에 있어서 사용되어지고 있는 고유전율 물질인 하프늄 실리케이트(Hf-silicate) 박막을 형성 시켜 소자의 채널(channel) 부분의 전하 이동도를 개선시키는 방법에 대한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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