일반기술
다공성 실리콘 및 이의 제조방법
본 기술은 실리콘의 상단면을 관통하는 제 1 기공(11); 상기 제 1 기공(11)의 하단면을 관통하며, 제 1 기공(11)의 직경보다 크거나 작도록 형성되는 제 2 기공(12); 상기 제 2 기공(12)의 하단면을 관통하며, 제 1 기공(11)의 직경과 동일 또는 유사한 크기로 형성되는 제 3 기공(13); 상기 제 1 기공(11), 제 2 기공(12), 제 3 기공(13)으로 구성되는 기공부(11, 12, 13)를 하나 이상 포함한 것을 특징으로 하는 수직정렬형 다공성 실리콘에 관한 것이다.; 본 발명에 따라 실리콘에 이중구조를 갖는 기공부를 형성시킴으로써, 종래의 다공성 실리콘에 비하여 표면적이 향상된 실리콘을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 각 기공별로 전자소재의 주입이 가능하여 주입된 전자소재의 경계선을 용이하게 형성시킬 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 기타 고분자 공정 기술
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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