일반기술
산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법
본 기술은 ZnO 100몰과, Ga2O3 10 ~ 100몰과, In2O3 10 ~ 100몰로 구성되는 비정질 반도체 산화물 박막으로서, 상기 산화물 박막은 Zn, Ga 및 In 을 포함하는 전구체 용액을 열처리하여 얻어진 것을 특징으로 하는 반도체 산화물 박막을 제공한다. 상기 박막은 금속 질화물 또는 금속 아세테이트 형태의 무기염 전구체로서, 각각 Zn, Ga, In을 포함하는 제1물질, 제2물질, 제3물질과, 전체 용액 100 중량부 기준으로 70 ~ 90 중량부의 용매를 포함하며, Zn을 포함하는 제1물질 100몰에 대하여, Ga을 포함하는 제2물질은 10 ~ 100 몰, In을 포함하는 제3물질은 10 ~ 100 몰을 함유하는 전구체 용액을 대상 기판에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅 등의 용액 공정에 의하여 형성할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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